سبد خرید شما خالی است!
دسته بندی
- کالاهای جدید
- فروش ویژه
- آردوینو
- ماشین های مونتاژ PCB
- کتاب ها و پکیج های آموزشی
- کیت ها
- گلخانه هوشمند
- مینی پی سی
- سایر بردها
- قطعات الکترونیک
- ماژول های صوتی
- ارتباطات
- دوربین و تصویر برداری
- ربات های پرنده
- محصولات RFID
- سنسور ها و ماژول ها
- ابزار آلات و تجهیزات
- منبع تغذیه و باتری
- موتور ها و درایور
- هوشمند سازی و امنیت
- نرم افزار ها
- نمایشگر ها و درایور
- قطعات رباتیک
- پروفیل و اتصالات مربوطه
- پرینتر سه بعدی
- محصولات واحد پرینت 3بعدی
- اسکنر سه بعدی
- ماشین های CNC و برش
- پروژه ها
ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB
ترانریستور ماسفت کانال N HFP50N06
توجه: این کالا شامل مرجوعی نمیباشد.
ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB ، از نوع کانال N دارای قدرت هدایت جریان 50 آمپری و ولتاژ شکست 60 ولت است. این ترانزیستور دارای مقاومت داخلی درین سورس کم 0.23 اهم و ظرفیت خازنی 430 پیکوفاراد می باشد و تا 150 درجه سانتی گراد در قسمت اتصالات نیمه هادی میتواند گرما را تحمل کند.
از این ترانزیستور ماسفت که دارای قدرت تحمل 610 ولت و جریان 50 آمپر است در مدارات قدرت، آمپلی فایرها و اینورترها و مدارات کلیدزنی استفاده می شود.
کاربرد ماسفت N-Channel HFP50N06:
- آمپلی فایرها
- اینورترها
- مدارات کلید زنی
مشخصات ماسفت N-Channel HFP50N06:
- نوع: HFP50N06
- مدل ترانزیستور: ماسفت
- نوع کانال کنترل: N -Channel
- حداکثر اتلاف توان: 130W
- حداکثر ولتاژ ds : 60V
- حداکثر ولتاژ gs : 20V
- حداکثر جریان Drain: 50A
- حداکثر دمای اتصال TJ: 150°C
- زمان افزایش tr: 185nS
- پکیج: TO220
Description:
MOSFET is a type of insulated-gate field-effect transistor (IGFET) that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe and DMOS technology intended for off-line switch mode power supply.
The 50N06 is a three-terminal silicon device with a current conduction capability of about 50A, fast switching speed. It includes low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V. It designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-220M-SQ pkg is well suited for adaptor power units, amplifiers, inverters, and SMPS applications. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mode power appliances.
Application:
Amplifiers
Inverters
Switching circuits
Specifications:
Type: HFP50N06
Model of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 130 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 50 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 185 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 430 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.023 Ohm
Package: TO220