هوالرزاق


دسته بندی
ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF
ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF

ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF

کد انبار : 7178-335-11456
مدل کالا : IRF8736TRPBF
جستارش : A1-12-0907A
موجودی: 18
قیمت:
13,160تومان

تعداد: - +
   - یا -   

ماسفت IRF8736 کانال N ولتاژ 30 ولت 18 آمپر با بسته بندی SMD

ترانزیستور ماسفت از جمله ترانزیستورهای جریان بالا به حساب می آید که در سیستم های سوئیچینگ و منابع ولتاژ کاربرد زیادی دارد.
ماسفت 18 آمپری IRT8736 یا ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF یک ماسفت با کانال نوع N است و جریان حداکثری درین تا 18 آمپر می تواند افزایش یابد و به طور پیوسته جریان عبوری 14.4 آمپر را تحمل می کند و حداکثر ولتاژ قابل تحمل درین-سورس به 30 ولت می رسد.
مقاومت پایین درین-سورس و میزان ظرفیت شارژ کم این ماسفت IRF8736 کانال N از ویژگی های مهم این ترانزیستور هستند و باعث سرعت بالای آن می شود.بسته بندی این ترانزیستور 8 پایه و به صورت SMD است.

 

کاربرد ماسفت RF8736 N-channel:

مدیریت انرژی
کامپیوتر
مبدل های dc به dc
سیستم های شبکه ای

 

مشخصات ماسفت IRF8736 N-channel:

1.نوع ترانزیستور: MOSFET
2.نوع کانال: N-channel
3.حداکثر توان مصرفی: 2.5 وات
4.حداکثر ولتاژ درین-سورس: 30 ولت
5.حداکثر ولتاژ گیت-سورس: 20 ولت (قدر مطلق)
6.ولتاژ آستانه گیت: 2.35 ولت
7.حداکثر جریان درین: 18 آمپر
8.جریان درین متناوب: 14.4 آمپر
9.حداکثر دمای اتصال: 150 درجه سانتی گراد
10.زمان بالاروندگی: 15 نانو ثانیه
11.حداکثر مقاومت درین-سورس: 0.0048 اهم
12.بسته بندی: SOC-8


مستندات:
دیتاشیت IRF8736TRPBF

 

Description:
The IRF8736PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology.
Very low RDS, Low gate charge are advantages of this power MOSFET transistor.


Application:
Power management
computers
peripherals
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems


Features:
1.Type Designator: IRF8736
2.Type of Transistor: MOSFET
3.Type of Control Channel: N -Channel
4.Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W
5.Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
6.Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
7.Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.35 V
8.Maximum Drain Current |Id|: 18 A
9.Continuous Drain Current: 14.4 A
10.Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
11.Total Gate Charge (Qg): 17 nC
12.Rise Time (tr): 15 nS

از این پس درج نظرات صرفا از طریق سامانه آفتاب یار امکان پذیر می باشد، برای وارد شدن به صفحه کالا بر روی لینک زیر کلیک کنید:
http://aftabyar.com/page/aftab-7178.html
AftabRayaneh©2017