هوالرزاق


دسته بندی
خانه » قطعات الکترونیک » ترانزیستور » ماسفت » ماسفت IRF520N بسته 2 عددی
ماسفت IRF520N بسته 2 عددی
ماسفت IRF520N بسته 2 عددی ماسفت IRF520N بسته 2 عددی ماسفت IRF520N بسته 2 عددی

ماسفت IRF520N بسته 2 عددی

کد انبار : 199-179-1154
مدل کالا : IRF520N Mosfet
جستارش : A1-12-0408A
موجودی: 7
قیمت:
36,890 تومان

تعداد: - +
   - یا -   
برچسب ها: IRF520N MOSFET, ترانزیستور ماسفت IRF520N, Irf520n

ماسفت IRF520N بسته 2 عددی

ترانزیستورهای ماسفت در واقع نوعی دیگر از ترانزیستورهای فت هستند با این تفاوت که پایه گیت ترانزیستور ماسفت از نظر کانال حامل جریان عایق شده است و به همین دلیل ترانزیستور با گیت عایق شده نامیده میشوند. ترانزیستور IRF520N از نوع کانال n، با ولتاژ درین-سورس 100 ولت و جریان درین 10 آمپر است.
ترانزیستور ماسفت IRF520N با بسته بندی TO-220AB، دارای نویز کم و توان 50 وات است که به صورت رله عمل می کند و یا به صورت کنترلر در درایو موتورها استفاده می شود.
 IRF520N با دارا بودن ظرفیت خازن ورودی کم، در مدرارات کنترل کننده استفاده می شود و ماسفت ها می توانند به عنوان یک کلید اولیه در مدارات با بازدهی بالا، مبدل های DC-DC سرعت بالا مورد استفاده قرار می گیرند.

کاربرد IRF520N Mosfet :

  1. درایور رله و سلونویید
  2. رگولاتور
  3. مبدل های DC به DC و DC به AC
  4. تقویت کننده های صوتی
  5. کنترل موتور
  6. اتوماسیون محیط

مشخصات IRF520N Mosfet  :

  1. حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100ولت
  2. حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs): 20 ولت
  3. حداکثر جریان درین (Id): 10 آمپر
  4. جریان اشباع درین-سورس (Idss): 0.01 آمپر
  5. حداکثر دمای محل پیوند (Tj): 175 درجه سانتی گراد
  6. زمان صعود (tr): 25 نانو ثانیه
  7. ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss): 460پیکو فاراد
  8. مقاومت درین-سورس (Rds): 0.115 اهم
  9. نوع بسته بندی: TO220

مستندات:
دیتا شیت ماسفت IRF520N


Description:
This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge.
Third-generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance, and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.
It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for telecom and Computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

IRF520N MOSFET application:
High current
High switching speed
Solenoid and relay driver
Regulator
DC-DC and DC-AC converters
Motor control
Automotive environment

Features:
Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Gate-Source Voltage: 20 V
Rds: 0.115 ohm
Ciss Capacitance: 460pF
Rise Time: 25ns
Package: TO-220
AftabRayaneh©2022