هوالرزاق


دسته بندی
خانه » جستجو » قطعات الکترونیک » ترانزیستور » ماسفت » ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB
ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB
ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB

ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB

کد انبار : 6299-335-10248
مدل کالا : HFP50N06-TO220
جستارش : A1-04-0802B
موجودی: تامین کالا فقط به صورت سفارشی پیش سفارش
تعداد: - +
   - یا -   
برچسب ها: HFP50N06-TO220, ترانزیستور ماسفت, ترانزیستور

ترانریستور ماسفت کانال N HFP50N06

توجه: این کالا شامل مرجوعی نمیباشد.

ترانزیستور ماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB ، از نوع کانال N دارای قدرت هدایت جریان 50 آمپری و ولتاژ شکست 60 ولت است. این ترانزیستور دارای مقاومت داخلی درین سورس کم 0.23 اهم و ظرفیت خازنی 430 پیکوفاراد می باشد و تا 150 درجه سانتی گراد در قسمت اتصالات نیمه هادی میتواند گرما را تحمل کند.

از این ترانزیستور ماسفت که دارای قدرت تحمل 610 ولت و جریان 50 آمپر است در مدارات قدرت، آمپلی فایرها و اینورترها و مدارات کلیدزنی استفاده می شود.


کاربرد ماسفت N-Channel HFP50N06:

  1. آمپلی فایرها
  2. اینورترها
  3. مدارات کلید زنی

مشخصات ماسفت N-Channel HFP50N06:

  1. نوع: HFP50N06
  2. مدل ترانزیستور: ماسفت
  3. نوع کانال کنترل: N -Channel
  4. حداکثر اتلاف توان: 130W
  5. حداکثر ولتاژ ds : 60V
  6. حداکثر ولتاژ gs : 20V
  7. حداکثر جریان Drain: 50A
  8. حداکثر دمای اتصال TJ: 150°C
  9. زمان افزایش tr: 185nS
  10. پکیج: TO220

Description:

MOSFET is a type of insulated-gate field-effect transistor (IGFET) that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe and DMOS technology intended for off-line switch mode power supply.
The 50N06 is a three-terminal silicon device with a current conduction capability of about 50A, fast switching speed. It includes low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V. It designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-220M-SQ pkg is well suited for adaptor power units, amplifiers, inverters, and SMPS applications. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mode power appliances.

Application:
Amplifiers
Inverters
Switching circuits

Specifications:
Type: HFP50N06
Model of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 130 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 50 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 185 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 430 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.023 Ohm
Package: TO220

از این پس درج نظرات صرفا از طریق سامانه آفتاب یار امکان پذیر می باشد، برای وارد شدن به صفحه کالا بر روی لینک زیر کلیک کنید:
http://aftabyar.com/page/aftab-6299.html
AftabRayaneh©2022