هوالرزاق


دسته بندی
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow

ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow

کد انبار : 3713-147-5901
مدل کالا : K9F1G08U0E 1GB
جستارش : A1-02-0301C
موجودی: تامین کالا فقط به صورت سفارشی پیش سفارش
تعداد: - +
   - یا -   

ماژول Nand Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow

NAND نوعی حافظه فلش است که در دسته حافظه‌های غیرفرار ( Non-Volatile storage) قرار می‌گیرد. این نوع از حافظه حتی در صورت قطع برق و نبود منبع تغذیه نیز اطلاعات موجود در خود را حفظ می‌کند.
آی سی حافظه NAND مدل K9F1G08U0E می تواند راه حل مناسب و مقرون به صرفه برای ذخیره داده ها با حجم مورد نظر باشد و امکان نوشتن و پاک سازی در زمان کم دارد.
ماژول Nand Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E با ولتاژ 3.3 ولت تغذیه می شود و در محدوده 2.7 تا 3.6 ولت نیز میتواند به کار خود بپردازد و با بردهای مختلفی مانند رزبرری پای، اورنج پای و ماژول های esp کار کند و عملیات مورد نظر را انجام دهد و یا در صورت نیاز می توان از طریق ذخیره داده و کنترل داده، سیستم های امبدد و پیشرفته را توسعه داد.


کاربرد ماژول حافظه فلش NAND K9F1G08U0E یک گیگابایتی:

  1. سیستم های امبدد
  2. مینی کامپیوترها
  3. توسعه سیستم های بی سیم

مشخصات ماژول حافظه فلش NAND K9F1G08U0E یک گیگابایتی:

  1. ولتاژ تغذیه: 2.7 تا 3.6 ولت
  2. ساختار فلش:
  3. آرایه سل حافظه: 128 مگا + 8 مگا بایت 8 بیتی
  4. رجیستر داده: (2K + 64) 8 بیتی
  5. برنامه ریزی و پاک کردن اتومات:
    برنامه ریزی صفحه: (2K + 64)Byte
    بلوک پاک کردن: (128K + 4K)Byte
  6. عملیات خوانش صفحه:
    اندازه صفحه: (2K + 64)Byte
    خواندن تصادفی:40us(Max.)
    دسترسی سریالی:25ns(Min.)
  7. زمان سیکل نوشتن سریع:
  8. زمان برنامه ریزی صفحه: 400us(Typ.)
  9. زمان پاک کردن بلوک: 4.5ms(Typ.)


مستندات:
دیتاشیت آی سی حافظه NAND مدل K9F1G08U0E


Description:
Offered in 128Mx8bit, the K9F1G08U0E is a 1G-bit NAND Flash Memory with spare 32M-bit. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state application market. A program operation can be performed in typical 400s on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 4.5ms on a (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per Byte. The I/O pins serve as the ports for address and data input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where required, and internal verification and margining of data. Even the write-intensive systems can take advantage of the K9F1G08U0Es extended reliability by providing ECC(Error Correcting Code) with real time mapping-out algorithm. The K9F1G08U0E is an optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage and other portable applications requiring non-volatility.

Application:
developing system
mini computers
remote control device
wireless systems

Features:
Voltage Supply: 3.3V Device(K9F1G08U0E) : 2.7V ~ 3.6V
Organization
 - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit
 - Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
 - Page Program : (2K + 64)Byte
 - Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Read Operation
 - Page Size : (2K + 64)Byte
 - Random Read : 40ns(Max.)
 - Serial Access : 25ns(Min.)
Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 400ms(Typ.)
 - Block Erase Time : 4.5ms(Typ.)
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
Hardware Data Protection
 - Program/Erase Lockout During Power Transitions
Reliable CMOS Floating-Gate Technology
 -Endurance & Data Retention : Refor to the gualification report
 -ECC regnirement : 1 bit / 528bytes
Command Driven Operation
Unique ID for Copyright Protection
از این پس درج نظرات صرفا از طریق سامانه آفتاب یار امکان پذیر می باشد، برای وارد شدن به صفحه کالا بر روی لینک زیر کلیک کنید:
http://aftabyar.com/page/aftab-3713.html
AftabRayaneh©2022