آی سی درایور ماسفت و IGBT مدل IR2125

گیت درایور IR2125 یک آی سی درایور ماسفت و IGBT است که برای ماسفت کانال N به کار می رود و در صورت افزایش جریان ورودی روی گیت، جریان را محدود می کند و با ورودی های منطقی استانداردهای CMOS و LSTTL سازگاری دارد.

خروجی درایور یک بافر پالس جریان با دامنه بالا دارد و مدار محافظ جریان زیاد را تشخیص و میزان ولتاژ گیت را محدود می کند و برای راه اندازی ماسفت کانال نوع N، ولتاژ حداکثری 500 ولت استفاده می شود.

این آی سی درایور ماسفت و IGBT مدل IR2125 است و 8 پایه با فرمت dip دارد.

The IR2125(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle by cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting conditions and latched shutdown. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration which operates up to 500 volts.

MOSFET driver

IGBT Driver

Floating channel designed for bootstrap operation

Voffset: up to 500V

Io+/-: 1A/2A

Vout: 12 ~ 18v

ton/off: 150ns

Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET

Voltage - Supply: 0V ~ 18V

Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V

Input Type: Non-Inverting

Undervoltage lockout

Current detection and limiting loop to limit driven

power transistor current

shutdown time

Output in phase with input

 2.5V, 5V and 15V input logic compatible

Package: DIP 8pins