هوالرزاق


دسته بندی

ترانزیستورماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB

کد انبار : 6299-335-10248
مدل کالا : HFP50N06
جستارش : B1-02-1707A
موجودی: 36
قیمت:
7,050تومان

تعداد: - +
   - یا -   

ترانزیستورماسفت HFP50N06 دارای پکیج TO-220AB

جهت دریافت دیتا شیت کالا به این لینک مراجعه کنید .

توجه : این کالا شامل مرجوعی نمی باشد .

ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته شده است و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز گردیده است.
این ترانزیستور ماسفت مدل HFP50N06 با بسته بندی استاندارد TO-220، از نوع کانال N دارای قدرت هدایت جریان 50 آمپری و ولتاژ شکست 60 ولت است. این ترانزیستور دارای مقاومت داخلی درین سورس کم 0.23 اهم و ظرفیت خازنی 430 پیکوفاراد می باشد و تا 150 درجه سانتی گراد در قسمت اتصالات نیمه هادی میتواند گرما را تحمل کند.
از این ترانزیستور ماسفت که دارای قدرت تحمل 610 ولت و جریان 50 آمپر است در مدارات قدرت، آمپلی فایرها و اینورترها و مدارات کلیدزنی استفاده می شود.

Description:
MOSFET is a type of insulated-gate field-effect transistor (IGFET) that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
The MOSFET is the most common semiconductor device in digital and analog circuits and the most common power device. It was the first truly compact transistor that could be miniaturized and mass-produced for a wide range of applications, revolutionizing the electronics industry and the world economy, which has been central to the computer revolution, digital revolution, information revolution, silicon age, and information age.
This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe and DMOS technology intended for off-line switch mode power supply.
The 50N06 is a three-terminal silicon device with a current conduction capability of about 50A, fast switching speed. It includes low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V. It designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-220M-SQ pkg is well suited for adaptor power units, amplifiers, inverters, and SMPS applications. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mode power appliances.

Features:
Type: HFP50N06
Model of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 130 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 50 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 185 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 430 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.023 Ohm
Package: TO220

از این پس درج نظرات صرفا از طریق سامانه آفتاب یار امکان پذیر می باشد، برای وارد شدن به صفحه کالا بر روی لینک زیر کلیک کنید:
http://aftabyar.com/page/aftab-6299.html
AftabRayaneh©2017